檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "Graphene oxide".ekeyword (精準) and cdept.raw="機械工程系"
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率，然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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電極材料性質對電-芬頓系統處理效能產生顯著影響。本研究以成本低廉及良好導電性之低碳鋼(SPHC)電極，藉由電泳沉積(Electrophoretic Deposition, EPD)，進行製備SPHC…
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二硫化鉬(Molybdenum Disulfide, MoS2)為二維奈米層狀材料，具備良好之電催化性能及耐蝕穩定性，惟其二維結構及層間作用力使其易產生團聚現象，導致活性反應點位降低並抑制電催化活性…
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奈米TiO2薄膜的光電極是影響染料敏化太陽能電池光電特性的重要因素。本研究主要改善染料敏化太陽能電池中之工作電極暗電流的產生，所以在TiO2工作電極中添加具有良好導電性之材料，進而增進染料敏化太陽能…
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高級氧化程序(Advanced Oxidation Processes, AOPs)近年來受到高度關注，予以光輔佐之電-芬頓系統通過電能與光激發產生活性極強的羥基自由基(Hydroxyl Radic…
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由於石墨烯在各方面的應用上皆表現出驚人的特性，人們對於石墨烯的研究及應用越來越重視，甚至有學者將它稱為能夠改變21世紀之材料。 本研究係使用PVD濺鍍配合高溫氧化及真空高溫處理之製程來製造石墨…